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Agencia Sinc
Nuevas moléculas para mejorar los dispositivos de memoria
19 noviembre 2014 19:20
URV/SINC

Investigadores de las universidades de Glasgow y Rovira i Virgili informan en la revista Nature cómo diseñar y fabricar dispositivos de memoria basados en moléculas de óxido y metal: los polioxometalatos. La nueva técnica permite reducir el tamaño de las celdas de datos y aumentar el almacenamiento de información, y se podría implementar en memorias flash a escala nanométrica.