Un equipo internacional, en el que han participado investigadores del CSIC, ha conseguido que un cristal bidimensional modifique su estructura de forma controlada con la aplicación de un campo eléctrico. Los cristales convencionales solo recristalizan bajo cambios de presión o temperatura.
La estructura cristalina de un material juega un papel importante en la determinación de sus propiedades electrónicas. Un estudio internacional que ha contado con la participación del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) ha demostrado que es posible controlar la estructura cristalina de un cristal bidimensional, el grafeno tricapa, mediante un campo eléctrico creado por una punta nanométrica. El trabajo se ha publicado en la revista Nature Materials.
El del grafeno tricapa es un ejemplo único de un material cuya estructura cristalina puede controlarse mediante campos eléctricos, al contrario de lo que ocurre con los cristales convencionales, que normalmente solo recristalizan bajo cambios de presión o temperatura.
En el caso de este cristal bidimensional, su estado cambia de forma reversible y controlada mediante cambios en su estructura cristalina. El campo eléctrico creado por una punta metálica cargada es suficiente para reconfigurar el cristal según se desplaza sobre él.
“Este avance puede dar lugar a una nueva clase de dispositivos electrónicos, ya que el cambio estructural de este material bajo un campo eléctrico lleva asociado un cambio de metal a aislante”, explica Pablo San José, investigador del Instituto de Ciencia de Materiales del CSIC, en Madrid.
Según los científicos, el estudio abre la puerta a multitud de aplicaciones tecnológicas que exploten el cambio reversible de estado por medios eléctricos de estos cristales. En concreto, pueden facilitar diseños novedosos de transistores de grafeno con muy baja disipación de energía.
Referencia bibliográfica:
Matthew Yankowitz, Joel I-JanWang, A. Glen Birdwell, Yu-An Chen, K.Watanabe, T. Taniguchi5, Philippe Jacquod, Pablo San-Jose, Pablo Jarillo-Herrero y Brian J. LeRoy. "Electric field control of soliton motion and stacking in trilayer graphene". Nature Materials. DOI: 10.1038/NMAT3965
Un equipo internacional de científicos, liderados desde el Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón, ha creado el primer imán duro de espesor atómico. El avance tiene aplicaciones potenciales en dispositivos tecnológicos que requieren un campo magnético definido, como las memorias RAM de los ordenadores.
En la interfaz entre dos capas rotadas de titanato de bario, con solo unos pocos átomos de espesor, aparecen propiedades que podrían revolucionar la ciencia de los materiales ferroeléctricos y ser útiles en la electrónica e informática del futuro. Los detalles los publican en Nature investigadores de la Universidad Complutense de Madrid.
